ULN2003AIDRE4

功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays

RoHS:

制造商:Texas Instruments

配置:Octal

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:

集电极—基极电压 VCBO:

最大直流电集电极电流:0.5 A

最大集电极截止电流:

功率耗散:

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-18

封装:Reel

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